Наноуглерод
Актуальность и цели исследования
Для экспериментов в СТМ графит - один из эталонных материалов. Часто графит используется как подложка для изучаемых поверхностных комплексов, (атомных, молекулярных и кластерных), часто как хорошо изученная тестовая поверхность, пригодная для калибровки СТМ. Свежеприготовленная поверхность ВУПГ обычно состоит из ровных террас размером в несколько сотен нанометров. Топографические изображения в СТМ поверхности графита (0001) имеют ряд особенностей, природа которых интенсивно изучается теоретически и экспериментально в течение многих лет, прошедших после их обнаружения.
Результаты
1. Создание одиночной вакансии в 1D- или 2D-
решетке всегда сопровождается формированием дискретных уровней с нулевой (относительно точки пересечения) энергией.
Топографическое изображение (32 х 32 нм, I = 1,9 нА, V = - 1 В) многоатомной вакансии, изображение верхнего края многоатомной вакансии с атомным разрешением, профиль топографического изображения вдоль линии АВ, отмеченной на а, и совокупность I-V-кривых, измеренных на различных участках границы дефекта.
2. Включение одиночной обменной связи
между линейными цепочками с квадратичными (около зонных границ) законами дисперсии всегда приводит к отщеплению в спектре от зон дискретных уровней стационарных или квазистационарных состояний, локализованных вблизи узла с обменной связью. Энергии отщепленных уровней зависят от параметра обменной связи квадратично. Включение одиночной обменной связи между двумя 2D-решетками с параболическими законами дисперсии отщепляет дискретные уровни, энергии которых зависят от параметра связи по экспоненциальному закону.
Одиночная нанотрубка, адсорбированная на поверхности ВУПГ, 258 х 258 нм, I = 1,31 нА, V = - 0,89 В.
3. Создание периодической цепочки
обменных связей (сверхрешетки) в случае 1D-систем приводит к расщеплению энергетических зон на совокупность подзон; в центре и на краях зоны Бриллюэна открываются энергетические щели.
4.Создание сверхрешеток точечных обменных
связей в системе двух одинаковых 2D-решеток приводит к формированию в энергетических спектрах «псевдощелей» — участков с пониженной плотностью состояний.
Топографическое изображение области, содержащей муаровые структуры, I = 2,1 нА, V = 0,6 В.
Топографические изображения ассоциата углеродных нанотрубок, полученные при двух различных значениях напряжения сканирования.